安世半導體將在漢堡投資2億美元 研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品

近日消息,半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日宣布,計劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),并在漢堡工廠(chǎng)建立生產(chǎn)基礎設施。同時(shí),晶圓廠(chǎng)的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會(huì )增加。此項投資是在該工廠(chǎng)成立100周年之際,與漢堡經(jīng)濟部長(cháng)Melanie Leonhard博士共同宣布的。

近日消息,半導體制造商Nexperia安世半導體)近日宣布,計劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),并在漢堡工廠(chǎng)建立生產(chǎn)基礎設施。同時(shí),晶圓廠(chǎng)的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會(huì )增加。此項投資是在該工廠(chǎng)成立100周年之際,與漢堡經(jīng)濟部長(cháng)Melanie Leonhard博士共同宣布的。

安世半導體將在漢堡投資2億美元 研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品

為了滿(mǎn)足對高效功率半導體日益增長(cháng)的長(cháng)期需求,Nexperia將從2024年6月開(kāi)始在德國研發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)。這一舉措充分展現了Nexperia對電氣化和數字化領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的有力支持。SiC和GaN半導體使數據中心等高功率應用能夠以出色的效率運行,同時(shí)也是可再生能源應用和電動(dòng)汽車(chē)的核心構件。這些寬禁帶技術(shù)具有巨大的潛力,對實(shí)現脫碳目標越來(lái)越重要。

Nexperia德國首席運營(yíng)官兼常務(wù)董事Achim Kempe表示:

“這項投資鞏固了我們作為節能半導體領(lǐng)先供應商的地位,使我們能夠更負責任地利用可用電能。未來(lái),我們的漢堡晶圓廠(chǎng)將覆蓋全系列的寬禁帶半導體,同時(shí)仍是最大的小信號二極管和晶體管工廠(chǎng)。我們將繼續堅定執行我們的戰略,為標準應用和高耗能應用生產(chǎn)高質(zhì)量、具有成本效益的半導體,同時(shí)應對我們這一代人面臨的最大挑戰之一:滿(mǎn)足日益增長(cháng)的能源需求,同時(shí)減少對環(huán)境的影響?!?/p>

第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線(xiàn)已于2024年6月投入使用。下一個(gè)里程碑將是建立現代化、經(jīng)濟高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產(chǎn)線(xiàn)。這些生產(chǎn)線(xiàn)將在未來(lái)兩年內在漢堡工廠(chǎng)完成。同時(shí),該項投資還將幫助進(jìn)一步實(shí)現漢堡工廠(chǎng)現有基礎設施的自動(dòng)化,并通過(guò)逐步轉向使用200毫米晶圓來(lái)擴大硅的產(chǎn)能。隨著(zhù)潔凈室區域的擴大,新的研發(fā)實(shí)驗室正在建設中,以確保未來(lái)從研究到生產(chǎn)的無(wú)縫過(guò)渡。

除了推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步外,Nexperia預計該舉措還能夠刺激當地經(jīng)濟發(fā)展。這些投資對保障和創(chuàng )造就業(yè)機會(huì )以及增強歐盟半導體自給自足的能力做出了重要貢獻。Nexperia與大學(xué)和研究機構密切合作,互相分享專(zhuān)業(yè)知識并推動(dòng)高素質(zhì)的員工培訓。Nexperia依賴(lài)于漢堡和整個(gè)歐洲的強大研發(fā)生態(tài)系統開(kāi)發(fā)合作與協(xié)作,例如在納米電子研究中心IMEC的工業(yè)聯(lián)盟計劃(IIAP)中,特別是在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域,發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。這些以及其他合作確保了Nexperia產(chǎn)品實(shí)現持續創(chuàng )新并在技術(shù)上具有出色表現。

Nexperia德國首席財務(wù)官兼常務(wù)董事Stefan Tilger表示:

“計劃中的投資使我們能夠在漢堡開(kāi)展寬禁帶芯片的設計和生產(chǎn)。然而,SiC和GaN對于Nexperia來(lái)說(shuō)絕不是新領(lǐng)域。自2019年起,我們的產(chǎn)品組合中就包括GaN FET,而在2023年,我們還與三菱電機合作,擴展了產(chǎn)品范圍,加入了SiC二極管和SiC MOSFET。Nexperia是少數幾家能夠提供全線(xiàn)半導體技術(shù)產(chǎn)品系列的供應商之一,包括Si、SiC和涵蓋了E-mode和D-mode的GaN。這意味著(zhù),我們?yōu)榭蛻?hù)提供了一站式服務(wù),能夠滿(mǎn)足他們所有的半導體需求?!?/p>

此項投資是Nexperia在漢堡洛克施泰特工廠(chǎng)百年歷史中的又一個(gè)重要里程碑。自1924年Valvo Radior?hrenfabrik成立以來(lái),該工廠(chǎng)不斷發(fā)展,如今為全球約四分之一的小信號二極管和晶體管需求提供支持。自2017年從NXP分拆以來(lái),Nexperia在漢堡工廠(chǎng)投入了大量資金,員工人數從950人增加到1,600人左右,并將技術(shù)基礎設施升級到了最先進(jìn)的水平。這些持續的投入突顯了公司致力于保持行業(yè)領(lǐng)先地位并為全球客戶(hù)提供創(chuàng )新解決方案的決心。

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